Noise and detectivity of InAs/GaSb T2SL 4.5 μm IR detectors
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Strony od-do
10404-1-10
Numer tomu
10404
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,9
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
angielski
Detectivity
Type-II superlattice
Low-frequency noise
Noise spectroscopy
Traps
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
SPIE Optical Engineering + Applications
Początek konferencji
2017-08-06
Koniec konferencji
2017-08-10
Lokalizacja konferencji
San Diego
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Measurements of low-frequency noise of type-II superlattice detectors designed for mid-IR wavelengths are used to determine noise limitations, calculate the real detectivity, and study 1/f noise-current correlations in these devices. No 1/f noise connected to the diffusion current is found as opposed to the generation-recombination, shunt, and tunneling currents. The contribution from the shunt current to 1/f noise can be so large that shunt-originated noise dominates in the high-temperature region, in which current is limited by the generation-recombination and diffusion components. It is also demonstrated that devices made of type-II superlattice contain traps generating random processes with thermally activated kinetics, and the activation energies of these traps are determined.
Cechy publikacji
CONFERENCE_PAPER
Inne
System-identifier
PX-5a0188d8d5de9eddd5d913ef
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych