Influence of Be doping placement in InAs/GaSb superlattice-based absorber on the performance of MWIR photodiodes
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY (30pkt w roku publikacji)
ISSN
0268-1242
EISSN
1361-6641
Wydawca
IOP PUBLISHING LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
5
Strony od-do
055010-9
Numer tomu
32
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
angielski
InAs/GaSb
type-II superlattice
mWIR photodiode
dark current modelling
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Doping of the absorption region is one of the most crucial aspects in the narrow-bandgap semiconductor design of a photodiode, especially if it is adjacent to the p-n junction area. It has a significant impact on various dark current mechanisms, and thus the overall performance of these devices. In this work, the influence of Be doping placement in the absorption region of type-II InAs/GaSb superlattice-based homojunction photodiodes on their performance was investigated. The analysis of diffusion, generation–recombination, shunt and the tunnelling components of the dark current was performed over a wide range of temperatures. Moreover, performance-limiting factors were considered as well as their impact on the most important figures of merit of the photodetectors. The photodiodes with Be-doped InAs layers in the absorption region achieved the best performance.
Cechy publikacji
ORIGINAL_PAPER
Inne
System-identifier
PX-59e47c44d5de4410c33dd607
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych