Measurements of Ultra-Fast single photon counting chip with energy window and 75 $\mu$m pixel pitch with Si and CdTe detectors
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Inżynierii Biomedycznej (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Journal of Instrumentation (35pkt w roku publikacji)
ISSN
EISSN
1748-0221
Wydawca
Institute of Physics Publishing
DOI
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
art. no. C03064
Strony od-do
1--6
Numer tomu
12
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Słowa kluczowe
EN
X-ray fluorescence (XRF) systems
X-ray detectors
pixelated detectors and associated VLSI electronics
X-ray diffraction detectors
Streszczenia
Język
EN
Treść
Single photon counting pixel detectors become increasingly popular in various 2-D X-ray imaging techniques and scientific experiments mainly in solid state physics, material science and medicine. This paper presents architecture and measurement results of the UFXC32k chip designed in a CMOS 130 nm process. The chip consists of about 50 million transistors and has an area of 9.64 mm × 20.15 mm. The core of the IC is a matrix of 128 × 256 pixels of 75 µm pitch. Each pixel contains a CSA, a shaper with tunable gain, two discriminators with correction circuits and two 14-bit ripple counters operating in a normal mode (with energy window), a long counter mode (one 28-bit counter) and a zero-dead time mode. Gain and noise performance were verified with X-ray radiation and with the chip connected to Si (320 µm thick) and CdTe (750 µm thick) sensors.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:104946
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych