Adsorption of gallium on GaN (0001) surface in ammonia-rich conditions: A new effect associated with the Fermi level position
PBN-AR
Instytucja
Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matematycznego i Komputerowego (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
78-81
Numer tomu
401
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
computer simulation
surface processes
metal organic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III–V materials
Streszczenia
Język
en
Treść
Density functional theory (DFT) calculations were used to study GaN(0001) surface covered with NH3 admolecules and NH2 radicals, corresponding to physical conditions during GaN growth by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Using larger representation of the surface i.e. slabs of lateral size 4×4, the effect of the doping was examined. It is shown that for specific surface coverage the electron counting (EC) rule is fulfilled so that the pinning of the Fermi level by surface states and band bending disappears. In this case, according to Krukowski et al. (2013) [14], the doping of the semiconductor (n- or p-type) and the related Fermi level are extremely important for stability of the surface and the adsorption/desorption processes. The difference in adsorption energies of gallium atoms at n- and p-type GaN(0001) surface exceeds the energy gap. This effect is observed in a narrow range of surface coverage, therefore cannot be detected in the calculations using small systems i.e. 2×2 slabs. This new phenomenon may be crucial for the growth of GaN and the incorporation of dopants and impurities into semiconductor crystals.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:728871
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych