Influence of the substrate on the structure stability $LaLuO_{3}$ thin films deposited by PLD method
PBN-AR
Instytucja
Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Vacuum
ISSN
0042-207X
EISSN
1879-2715
Wydawca
Pergamon-Elsevier Science Ltd.
DOI
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
120--129
Numer tomu
134
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.7
Autorzy
(liczba autorów: 4)
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
EN
PLD
XPS
thin films LaLuO3
Streszczenia
Język
EN
Treść
LaLuO3 amorphous thin films were elaborated by pulsed laser deposition technique on different support: Si (100), Si(100) with buffer layer CeO2, MgO(111) and Al2O3 (1101). For obtained the crystallizes phase the thin films were annealed in temperature 1100 °C in air during 2 h. TEM analysis clearly showed the reaction between Si support and LaLuO3 thin films and their polycrystalline structure. The spectroscopy investigations indicate the reaction between Si support and LaLuO3 thin films and formation of silicates. The CeO2 thin buffer layers on Si support limited the reaction between support and thin films. No reactions were observed between the surface Al2O3 and MgO and thin films. © 2016 Elsevier Ltd.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:102023
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych