Dual-wavelength vertical external-cavity surface-emitting laser: strict growth control and scalable design
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS
ISSN
0946-2171
EISSN
1432-0649
Wydawca
Springer
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
UNSP 43
Numer tomu
122:23
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Streszczenia
Język
en
Treść
This paper reports on the design and fabrication of a dual-wavelength vertical external-cavity surface-emitting laser. Grown by molecular beam epitaxy, the laser structures have a relatively simple active region divided into two sections, between which there is no optical filter. Comparable threshold power was achieved for both wavelengths. The growth rate was controlled precisely by growing AlAs/GaAs superlattices with different period thicknesses and testing them with high-resolution X-ray diffractometry. The simultaneous emission of two wavelengths was detected in setup without a heat spreader, one of 991 nm and the other of 1038 nm. After diamond heat spreader was bonded, both wavelengths lased in continuous-wave mode with the combined output power of 1.79 W. The design scalability allowed us to obtain two further structures with layers thinned by about 3 % in the first and by about 6 % in the second, operating at 958/1011 and 928/977 nm, respectively.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-5847ce3082ce497198fd0793
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych