Analiza falowodów ze związków InGaAs, InAlAs i InP dla laserów kaskadowych emitujących w zakresie średniej podczerwieni
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
pl
Czasopismo
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
ISSN
0033-2089
EISSN
2449-9528
Wydawca
SIGMA NOT
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
9
Strony od-do
23-27
Numer tomu
LVII
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pl
lasery kaskadowe, falowód, InGaAs, InAlAs, InP
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Streszczenia
Język
pl
Treść
W pracy przedstawiono wyniki obliczeń numerycznych falowodów laserów kaskadowych emitujących promieniowanie o długości fali ok. 5 μm. Rozważano niesymetryczne falowody zawierające podłoże z InP oraz warstwy InGaAs i InAlAs dopasowane sieciowo do InP projektowane do wytworzenia poprzez wzrost epitaksjalny przy wykorzystaniu wyłącznie epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Wyznaczono teoretyczne wartości współczynnika przekrycia pola elektrycznego i obszaru czynnego oraz strat modów poprzecznych dla różnych grubości poszczególnych warstw falowodowych oraz ilości periodów obszaru czynnego. Uzyskane wyniki obliczeń zostały zweryfikowane dla jednej z rozważanych konstrukcji falowodu poprzez porównanie wyznaczonego teoretycznego rozkładu promieniowania w polu dalekim z rozkładem wyznaczonym eksperymentalnie przy użyciu szerokokątnego profilometru goniometrycznego. Względna różnica pomiędzy szerokościami połówkowymi rozkładów teoretycznego i doświadczalnego wyniosła 3,5%.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-58353efa82cea14560fd18b5
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych