Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
eng
Czasopismo
OPTICA APPLICATA
ISSN
0078-5466
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
nr 1
Strony od-do
67-72
Numer tomu
vol. 43
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
pol
złącze omowe
kontakt omowy
heterostruktura AlGaN/GaN
morfologia powierzchni
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Wersja opublikowana
Licencja otwartego dostępu
Inna
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Razem z publikacją
Streszczenia
Język
eng
Treść
Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures, which have low contact resistance and a good surface morphology, are required for the development of high temperature, high power and high frequency electronic devices. The paper presents the investigation of a Ti/Al based Ti/Al/Ni/Au ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructures. Multilayer metallization of Ti/Al/Ni/Au was evaporated by an electron gun (titanium and nickel layers) and a resistance heater (aluminum and gold layers). The contacts were annealed by rapid thermal annealing (RTA) system in a nitrogen ambient atmosphere over the temperature range from 715 to 865 °C. The time of the annealing process was 60 seconds. The chemical analysis, formation and deterioration mechanisms of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures were studied as a function of the annealing process conditions by a scanning electron microscope (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometer (EDS).
Inne
System-identifier
000187042