Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology
ISSN
EISSN
2043-6262
Wydawca
IOP Publishing
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
1
Strony od-do
013002-1--013002-8
Numer tomu
6
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.57
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Pozostali autorzy
+ 7
Słowa kluczowe
EN
crystal structure
multilayers
hydrogen storage
titan oxides
vanadium oxides
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
IWAMSN2014
Nazwa konferencji
7th International Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology
Początek konferencji
2014-11-02
Koniec konferencji
2014-11-06
Lokalizacja konferencji
Ha Long
Kraj konferencji
VN
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
EN
Treść
We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti-TiO2 and VOx-TiO2 thin films with different layer structures, geometries and thicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO2, C) substrates. For the Ti-TiO2-Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO2 layer. A large hydrogen storage was also found in some V2O5-TiO2 films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V2O5 to VO2 in the films.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:088021
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych