Performance of $Si-doped$ $WO_{3}$ thin films for acetone sensing prepared by glancing angle DC magnetron sputtering
PBN-AR
Instytucja
Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
IEEE Sensors Journal
ISSN
1530-437X
EISSN
1558-1748
Wydawca
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
4
Strony od-do
1004--1012
Numer tomu
16
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.64
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
EN
magnetron sputtering
gas sensor applications
WO3 films
acetone sensing
Streszczenia
Język
EN
Treść
This paper presents the acetone sensing characteristics of Si-doped (1 at.%) tungsten oxide thin films prepared by glancing angle dc magnetron sputtering. The performance of Si-doped WO3 sensors in the concentration range of 0.04–3.8 ppm at operating temperatures of 150 °C–425 °C has been investigated. Doping of the tungsten oxide film with Si significantly decreases the limit of detection of acetone compared with the pure WO3 sensors reported in the literature. The gas sensor’s response ( $S$ ) to acetone was defined as the resistance ratio $S = R_{mathrm{ air}}/R_{mathrm{ gas}}$ , where $R_{mathrm{ air}}$ and $R_{mathrm{ gas}}$ are the electrical resistances for the sensor in air and in gas, respectively. The maximum response measured in this experiment was $S=40.5$ . Such response was measured in the presence of 3.8 ppm of acetone at an operating temperature of 425 °C using a Si-doped (1 at.%) WO3 thin film deposited at 300 °C and annealed at 300 °C for 4 h in air. The films phase composition, microstructure, and surface topography have been assessed by X-ray diffraction, scanning electron microscope, atomic force microscope, and energy dispersive X-ray spectroscopy methods.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:095797
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych