A Study of InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Photodiode
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SOLID-STATE ELECTRONICS
ISSN
0038-1101
EISSN
Wydawca
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
109-115
Numer tomu
104
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Avalanche photodiode; InGaAs; Simulations; Measurements
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Streszczenia
Język
en
Treść
Development of telecommunication, medical imaging and measurement systems resulted in increasing demand for new generation of photodetectors, especially those with internal gain. An example of such device is Separate Absorption, Grading, Charge and Multiplication Avalanche Photodiode. It achieves far greater sensitivity, faster response time and smaller dark current levels in comparison with conventional p–n or p–i–n avalanche photodiodes. Additionally, to improve parameters of the photodiode an integrated monolithic optics can be applied. In this work numerical analysis of selected regions in such avalanche photodiode operating at 1.55 μm wavelength was performed. Calculations were carried out using Silvaco’s TCAD software. The influence of doping concentration, profile and layer thickness on device characteristics was investigated. The results of performed simulations were then compared with data obtained from the measurements of real avalanche photodiodes.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
580023
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych