Zener Phenomena in InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Photodiodes
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Detection
ISSN
2331-2076
EISSN
Wydawca
Scientific Research Publishing
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
1-15
Numer tomu
2
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
en
Avalanche Photodiode
InGaAs
Modeling
Streszczenia
Język
en
Treść
Avalanche photodiodes are widely utilized in research, military and commercial applications which make them attractive for further development. In this paper the results of numerical simulations of uncooled InGaAs/InAlAs/InP based photodiodes are presented. The devices were optimized for 1.55 μm wavelength detection. For device modeling the APSYS Crosslight software was used. Simulated structure consists of separate absorption, charge and multiplication layers with undepleted absorption region and thin charge layer. Based on numerical calculations, the device characteristics like band diagram, dark current, photo current, gain, breakdown voltage and gain bandwidth product were evaluated. The simulation results highlight importance of Zener effect in avalanche photodiode operation.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
579187
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych