Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej (Politechnika Łódzka)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
pl
Czasopismo
Przegląd Elektrotechniczny
ISSN
0033-2097
EISSN
Wydawca
WYDAWNICTWO SIGMA-N O T SP Z O O
DOI
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
62-65
Numer tomu
R. 90, nr 9
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
pl
GaN
laser półprzewodnikowy
matryca laserowa
oporność cieplna
en
GaN
semiconductor laser diode
laser array
thermal resistance
Streszczenia
Język
pl
Treść
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy możliwości zwiększenia mocy wyjściowej uzyskiwanej z krawędziowego lasera azotkowego oraz zaprojektowanych na jego podstawie jednowymiarowych matryc laserowych poprzez zastosowanie wybranych zmian konstrukcyjnych. Dwuwymiarowy elektryczno-cieplny model numeryczny został skalibrowany dla danych eksperymentalnych otrzymanych dla lasera pracującego z falą ciągłą w temperaturze pokojowej wykonanego w laboratorium Instytutu Wysokich Ciśnień UNIPRESS Polskiej Akademii Nauk. Przeprowadzone obliczenia miały na celu określenie wpływu na optyczną moc wyjściową modelowanych przyrządów takich parametrów konstrukcyjnych, jak: szerokość chipu laserowego, grubość podłoża, grubość warstwy złota w kontakcie elektrycznym typu p, liczba i rozstawienie emiterów w matrycy laserowej.
Język
en
Treść
This paper presents calculation results of performance of III-N-based laser diode and its arrays (bars) with various package modifications. We adjusted our 2D thermal-electrical model to room-temperature continuous-wave operating characteristics of nitride-based edge-emitting laser fabricated in the Laboratory of Institute of High Pressure Physics. The impact of chip width, substrate thickness, thickness of p-type gold electrode, number of emitters and emitter-to-emitter distance on output power limits of nitride laser diode is investigated.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
553107
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych